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    帶磁控濺射離子束刻蝕系統(MU 450)
    發布日期:2022-02-13

    關鍵詞:RIE、RIBE、反應離子束刻蝕、CAIEB、化學輔助離子束刻蝕、

                  過渡金屬、磁性材料、MRAM、GMR、TMR、Pt、Cu、TeGe、PZT

                   

     
    型號:MU 450;   產地:歐洲;

    應用:過渡金屬, PZT, 磁性材料(MRAM, GMR, TMR), Pt, Cu, TeGe ;

     

    代表性用戶:法國科學研究中心(CNRS)、意法半導體(ST) 
     
     
    基本配置如下:
     
    主腔體:不銹鋼原著腔體
     
    真空系統:采用35m3/h干泵+1600l/s全磁性分子泵
                  采用潘寧真空計、膜片真空計
                  真空度≤3×10-7mbar
                  20min 內抽真空到2×10-6mbar
     
    樣品臺:馬達驅動、水冷可接納4/6英寸襯底,
               可以旋轉,轉速2-20rpm,
               可以在0-180°傾斜,精度和可重復性優于0.1°
               樣品臺傾斜不改變襯底與離子源之間的距離
     
    ICP源:束能100-1000eV,束流>500mA@1000eV
    均勻性:±3% on 90mm, ±6% on 140 mm
     
    氣路:兩條氬氣氣路,分別配置MFC(50sccm,10sccm)
     
    刻蝕監控:SIMS,分子泵240l/s+機械泵5m3/h,潘寧/皮拉尼真空計
     
    Z方向運動:馬達驅動,量程75mm
     
    濺射源:3英寸磁控陰極帶靶源
               氧氣氣路,配帶10sccm MFC
               馬達驅動高度方向移動,量程100mm
              13.56MHz,300W 射頻電源
               均勻性優于±5%@100mm 
     
    控制系統:全自動控制,半自動和手動模式可用
                  支持多級用戶權限設置和管理
                  支持設備遠程操作、監控、診斷和維護
                  系統自動報警及定位故障
     

     

     

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