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    多靶反應濺射鍍膜系統(用于單層膜/多層膜制備 )
    發布日期:2021-03-11

    關鍵詞:單層膜、多層膜、半導體、光電子學、光子學、微機電系統、MEMS、微流體技術、

                    磁性膜、光學膜、金屬膜、絕緣膜、半導體膜、共濺射

                                 連續沉積、進口磁控濺射、SiO2、ZrO2、TiO2、DC靶、RF靶

     

    型號:MP600S,  產地:歐洲 ,   應用:制備單層/多層金屬薄膜。

    多靶反應磁控濺射鍍膜儀是微米納米器件制備的必備設備,可用于制備單層/多層金屬薄膜等,適用于半導體,光電子學,光子學,微機電系統(MEMS)和微流體技術等領域。

    反應腔體:內徑為600mm,高度300mm,采用電化學拋光不銹鋼

    真空系統:采用1500 l/s低溫泵+15m3/h 干泵

                      采用薄膜真空計、潘寧/皮拉尼真空計

     

    襯底尺寸:最大可加載4英寸襯底

                      采用電阻加熱可達500℃

                      采用K型熱電偶測溫

    磁控陰極:四個6英寸磁控陰極,

                      與樣品臺的距離手動可調(7-15cm)

                      每個陰極配備一個 圓柱形擋板,防止 污染

                      每個陰極配備一個電氣閥

                      每個陰極都可以是直流或射頻模式

    陰極電源:一個300W 13.56MHz射頻電源(可以升級到2kW)

                      射頻轉換開關可用于濺射或襯底清洗

                      一個2kW 直流電源

    偏置電壓:10V-300V可調

    反應氣路:分別為Ar、N2、O2氣路,每個氣路配備MFC

     

    Load Lock:采用Al合金腔體,手動樣品傳動臂。

                         采用主腔體干泵抽氣

     

    控制系統:全自動控制,半自動和手動模式可用

            支持多級用戶權限設置和管理
     
            支持設備遠程操作、監控、診斷和維護
           
            系統自動報警及定位故障

     

    若對我們的設備感興趣,歡迎聯系我們!

     

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